型号/品牌/封装
品类/描述
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资料
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品类: SCR晶闸管描述: ON SEMICONDUCTOR C106M1G 晶闸管, 600 V, 0.2 mA, 2.55 A, 4 A, TO-225AA, 3 引脚94535+￥4.237725+￥3.923850+￥3.7040100+￥3.6099500+￥3.54712500+￥3.46865000+￥3.437210000+￥3.3901 -
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品类: MOS管描述: 40V,136A,N沟道MOSFET187410+￥9.3744100+￥8.9057500+￥8.59321000+￥8.57762000+￥8.51515000+￥8.43707500+￥8.374510000+￥8.3432 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor721610+￥11.8596100+￥11.2666500+￥10.87131000+￥10.85152000+￥10.77255000+￥10.67367500+￥10.594610000+￥10.5550 -
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品类: MOS管描述: 150V,37A,N沟道功率MOSFET21035+￥12.728450+￥12.1845200+￥11.8799500+￥11.80371000+￥11.72762500+￥11.64055000+￥11.58617500+￥11.5317 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚87235+￥5.945425+￥5.505050+￥5.1967100+￥5.0646500+￥4.97652500+￥4.86645000+￥4.822410000+￥4.7563 -
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品类: MOS管描述: 23A,25V功率MOSFET52595+￥1.373025+￥1.271350+￥1.2001100+￥1.1696500+￥1.14922500+￥1.12385000+￥1.113610000+￥1.0984 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。27191+￥41.234810+￥38.8689100+￥37.1113250+￥36.8409500+￥36.57051000+￥36.26632500+￥35.99595000+￥35.8269 -
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品类: 双极性晶体管描述: PNP 晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。792920+￥0.234950+￥0.2175100+￥0.2088300+￥0.2018500+￥0.19661000+￥0.19315000+￥0.189710000+￥0.1862 -
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品类: 双极性晶体管描述: MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大331620+￥0.176950+￥0.1638100+￥0.1572300+￥0.1520500+￥0.14801000+￥0.14545000+￥0.142810000+￥0.1402 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 复合晶体管，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管509020+￥0.225550+￥0.2088100+￥0.2004300+￥0.1937500+￥0.18871000+￥0.18545000+￥0.182010000+￥0.1787 -
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品类: TRIACs描述: 硅双向晶闸管 Silicon Bidirectional Thyristors959210+￥1.275850+￥1.2096100+￥1.1624300+￥1.1340500+￥1.10571000+￥1.07732500+￥1.03485000+￥1.0253 -
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品类: TRIACs描述: ON SEMICONDUCTOR T2500DG 三端双向可控硅开关504010+￥9.5400100+￥9.0630500+￥8.74501000+￥8.72912000+￥8.66555000+￥8.58607500+￥8.522410000+￥8.4906 -
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品类: TRIACs描述: ON SEMICONDUCTOR T2322BG 双向晶闸管97535+￥6.710925+￥6.213850+￥5.8658100+￥5.7167500+￥5.61722500+￥5.49305000+￥5.443210000+￥5.3687 -
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品类: 双极性晶体管描述: 通用晶体管 General Purpose Transistors66765+￥1.471525+￥1.362550+￥1.2862100+￥1.2535500+￥1.23172500+￥1.20455000+￥1.193610000+￥1.1772 -
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品类: TVS二极管描述: 肖特基二极管与整流器 SS GP XSTR SPCL TR643020+￥0.294350+￥0.2725100+￥0.2616300+￥0.2529500+￥0.24631000+￥0.24205000+￥0.237610000+￥0.2333 -
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品类: 齐纳二极管描述: 单管二极管 齐纳, 16 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C687320+￥0.461750+￥0.4275100+￥0.4104300+￥0.3967500+￥0.38651000+￥0.37965000+￥0.372810000+￥0.3659 -
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品类: TVS二极管描述: ESD Suppressor TVS 15kV 6Pin SC-88 T/R601910+￥0.873550+￥0.8282100+￥0.7958300+￥0.7764500+￥0.75701000+￥0.73762500+￥0.70855000+￥0.7020 -
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品类: 齐纳二极管描述: DIODE ZENER DUAL CA SC-89-3190910+￥0.951850+￥0.9024100+￥0.8672300+￥0.8460500+￥0.82491000+￥0.80372500+￥0.77205000+￥0.7649 -
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品类: TVS二极管描述: SMB 30.8V 600W37845+￥2.471925+￥2.288850+￥2.1606100+￥2.1057500+￥2.06902500+￥2.02335000+￥2.004910000+￥1.9775 -
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品类: 齐纳二极管描述: 225mW，MMBZ52 和 SZMMBZ52 系列，On Semiconductor ### Zener Diodes, ON Semiconductor654220+￥0.176950+￥0.1638100+￥0.1572300+￥0.1520500+￥0.14801000+￥0.14545000+￥0.142810000+￥0.1402 -
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品类: 二极管阵列描述: ESD 抑制器/TVS 二极管 MI SOT553 QUAD ARRAY203510+￥1.186750+￥1.1251100+￥1.0812300+￥1.0548500+￥1.02841000+￥1.00212500+￥0.96255000+￥0.9537 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor45215+￥3.580225+￥3.315050+￥3.1294100+￥3.0498500+￥2.99682500+￥2.93055000+￥2.903910000+￥2.8642 -
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品类: 齐纳二极管描述: 500mW，MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1G 系列，ON Semiconductor 表面安装外壳，SOD-123196820+￥0.225550+￥0.2088100+￥0.2004300+￥0.1937500+￥0.18871000+￥0.18545000+￥0.182010000+￥0.1787 -
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品类: 齐纳二极管描述: SOD-923 2.79V 0.25W(1/4W)497420+￥0.264650+￥0.2450100+￥0.2352300+￥0.2274500+￥0.22151000+￥0.21765000+￥0.213610000+￥0.2097 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor34365+￥3.099625+￥2.870050+￥2.7093100+￥2.6404500+￥2.59452500+￥2.53715000+￥2.514110000+￥2.4797 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor67725+￥2.393625+￥2.216350+￥2.0921100+￥2.0390500+￥2.00352500+￥1.95925000+￥1.941410000+￥1.9148 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor60155+￥4.945125+￥4.578850+￥4.3223100+￥4.2125500+￥4.13922500+￥4.04765000+￥4.011010000+￥3.9560 -
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品类: 齐纳二极管描述: 225mW，MMBZ52 和 SZMMBZ52 系列，On Semiconductor ### Zener Diodes, ON Semiconductor266220+￥0.176950+￥0.1638100+￥0.1572300+￥0.1520500+￥0.14801000+￥0.14545000+￥0.142810000+￥0.1402 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor41495+￥3.326425+￥3.080050+￥2.9075100+￥2.8336500+￥2.78432500+￥2.72275000+￥2.698110000+￥2.6611
